▽Home | EE Times Japan ●05/19 15:43 電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:国内ディスプレイ市場に漂う寂寥感高速スイッチング特性を引き出す:ローム初の高耐圧GaNデバイス向け絶縁ゲートドライバーICボルテックスのピン止め効果が起源:強磁場で超伝導ダイオード効果を示す素子を開発バリア層も不要に:配線工程もいよいよ次世代へ ラムリサーチのモリブデン対応ALD装置主力の車載事業切り離しも発表:赤字拡大のJDI、国内1500人削減へ CEOのキャロン氏は辞任25年末にインドの従業員1000人に:ルネサスが「インド初」の3nmチップ設計センターを開設強誘電体の自発分極の影響を測定:MRAMの省電力化につながるか 強磁性体の保磁力変化を確認CATLのLFP電池「Shenxing」:「充電5分で520km走行」 勢い止まらぬ中国電池メーカー湯之上隆のナノフォーカス(81):TSMCは誰のもの? 米国